各位股東,首先,感謝各位股東在過去一年對聯電的支持與愛護。民國一一四年,聯電迎來成立45週年的重要里程碑。公司憑藉明確的差異化策略,專注於具長期競爭力的特殊製程技術,在關鍵未來技術與永續發展領域取得重要成果,展現出穩健成長與長期競爭力。然而消費需求回升緩慢,地緣政治不確定性加劇,加上匯率波動的挑戰,處處考驗著企業靈活應變、長期佈局並維持競爭力的韌性。
面對外部環境的各項挑戰,聯電經營團隊持續以穩健策略推動成長。透過22奈米及28奈米製程技術的深耕,推升這兩個節點年度營收貢獻創歷史新高,預期未來也將持續成長,進一步鞏固聯電在成熟及特殊製程領域的領導地位。在技術創新方面,聯電與imec (InteruniversityMicroelectronics Centre)攜手發展矽光子技術,積極佈局次世代高速通訊,持續引領產業發展。在全球策略佈局上,新加坡12i廠第三期擴建已順利啟用,強化聯電集團全球供應鏈的韌性。同時,聯電與英特爾在美國的12奈米量產合作計畫持續推進,並積極探索如美商Polar Semiconductor等新夥伴關係,擴展技術合作與市場版圖。
在永續發展方面,為加速邁向2050淨零承諾,公司將淨零路徑提升至1.5℃情境,並於本年度通過科學基礎減量目標倡議(SBTi)認證,目標2030年減少範疇一及範疇二42%的排放量,截至本年度已較基準年排放量減少30%以上,穩健朝淨零目標邁進。同時,位於南科12A廠的循環經濟資源創生中心正式啟用,積極推動廢棄物於廠內循環利用與資源化,將廢棄物轉化為具經濟價值的產品,展現聯電對永續發展的堅定承諾。聯電亦榮獲S&P Global 《2025年永續年鑑》全球前1%的肯定,彰顯企業在永續經營的卓越領導實力。
民國一一四年營運成果概要如下:營運與財務民國——四年,聯電營收逐季成長,獲利能力穩健,產品組合持續優化,全年營運反映需求溫和復甦。全年晶圓代工出貨量達387萬片約當12吋晶圓,年營收為新臺幣2,376億元,毛利率29.0%,營業利益率18.5%。歸屬母公司的全年獲利達新臺幣417億元,每股盈餘為新臺幣3.34元。全年資本支出約美金16億元,主要用於台南Fab 12A廠、新加坡Fab 12i廠及中國Fab 12X廠的產能擴建,及日本Fab 12M廠與其他8吋廠之產品組合優化與技術升級。這些投資將有助於聯電兼顧長期獲利能力與市佔率的穩健成長。製程技術研發民國——四年,聯電持續擴大研發投資,致力於成熟製程的差異化,並積極拓展高附加價值的新興應用領域。本年度研發投入達新臺幣177億元,專注於5G通訊、人工智慧、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術開發。隨著產業逐步邁向28奈米世代,聯電在12奈米與14奈米特殊製程、3D IC封裝及矽光子的研發上展現關鍵優勢,持續保持技術領先與差異化,創造最大價值。以下為本年度重點研發項目:
1. 12奈米FinFET製程技術平台(12FFC):相較於14FFC,12FFC具備更小晶片尺寸、更低功耗及更高性能,充分發揮FinFET優勢,廣泛應用於各類半導體產品。聯電與英特爾於美國合作開發12奈米FinFET製程,是聯電推動具成本效益、產能擴張及技術升級的重要策略佈局。目前合作進展順利,英特爾已於本年度完成製程技術轉移,順利導入聯電的高效能、低功耗及小晶片面積的12奈米FinFET製程技術,並正加速於亞利桑那廠區進行製程驗證,預計民國——五年完成驗證及民國——六年進入量產,將成為聯電在美國本土的第一個生產基地。2.14奈米FinFET嵌入式高壓製程技術平台(14eHV):成功將高壓25V製程與14FFC(14nm FinFET Compact)技術結合,性能較22/28奈米高壓製程大幅提高,晶片尺寸更小、功耗更低,競爭力顯著提升。3.28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台(28eHV-LP):本年度已將此平台延伸應用於筆記型電腦面板驅動晶片DDIC,相較於傳統DDIC,可降低15%功耗。平台亦專注於元件微縮與整合,為驅動晶片設計公司提供更高競爭力,奠定未來中型面板應用基礎。4.非揮發性記憶體製程平台:28奈米非揮發性記憶體製程平台(28ESF4) 已完成通用及物聯網微處理器(Generic & loT)及車用電子(Auto G1) 驗證,並與多家客戶展開終端產品設計合作,預計民國一一五年陸續完成客戶驗證。22奈米電阻式記憶體製程平台(22RRAM)則與力旺電子合作,於本年度完成平台升級,操作溫度範圍由-40℃~105℃提升至-40℃~125℃,並已與多家客戶展開產品設計合作。5.55奈米BCD非磊晶製程技術平台(55BCD):今年完成55奈米BCD非磊晶(BCD-NonEpi) 及BCD絕緣層上覆矽(BCD-SOI)第一階段元件開發與設計規範,聚焦車用電子、行動裝置及工業控制等電源管理(PMIC)應用。同時完成BCD磊晶製程(BCD-Epi) 初步元件開發,目前客戶測試晶片正在驗證中,預計民國————五年下半年進入量產。6. 110奈米BCD 3.3V新應用平台:新增1.5V數位元件,並完成5V至30V類比元件的FDK建置,預計民國一一五年完成製程開發並通過驗證,民國——————六年進入量產。7.153奈米客製化手機功率IC (PMIC):於民國——三年試產成功,本年度順利量產。8. 射頻絕緣半導體技術(RFSOI) 製程平台:40奈米RFSOI毫米波(mmWave)技術將於民國——五年量產,高性能功率放大器新元件亦在開發中。針對FR3頻段天線調諧器的40RFSOI-FR3技術已完成驗證,預計民國——五年啟動客戶原型設計。22奈米RFSOI正處於開發階段,為40GHz以上市場應用做準備。RFSOI平台的3D IC解決方案亦已開發完成,可供客戶進行原型設計。9.先進封裝技術:在移動設備射頻元件(RFFE)方面,已利用晶圓級混合鍵合技術(W2W hybrid bonding)實現尺寸微縮並進入量產;在邊緣人工智慧(Edge Al)領域,主動式中介層(Active interposer) 結合中矽穿孔技術(TSV-Middle)與邏輯製程,現正與多家客戶進行驗證;在高效能運算(HPC)及雲端AI應用方面,已成功於矽中介層中導入深溝槽電容(DTC, Deep TrenchCapacitor),為2.5D封裝晶片提供優異電源完整性,並已出貨予主要客戶。10. 氮化鎵(GaN)元件製程:成功開發氮化鎵射頻(RF)及功率元件製程,其中射頻開關及射頻功率放大器(PA)元件製程已量產。另外氮化鎵(GaN) 650V功率元件製程則正在進行客戶驗證與試產階段中。11. 12吋矽光子技術開發:聯電已取得全球知名研發機構imec的iSiPP300矽光子製程技術授權,正全力投入12吋矽光子技術研發,目前已正式進入試產階段。未來將結合聯電多年半導體製造經驗,推出12吋矽光子技術平台,以瞄準下世代高速連接應用市場。專利/智慧財產權/法律遵循面對激烈的全球技術競賽,聯電致力於保護研發成果及與合作夥伴創造的價值,透過專利與營業秘密的雙軌保護機制,提升競爭力。歷年來整體專利獲權總數皆保持穩定成長,本年度共獲得國內外專利623件,目前聯電集團的專利總數已超過16,700件,這不僅是數字,而是聯電為製程技術打造的堅實智權壁壘。此外,聯電於民國——四年加入全球性專利授權平台與非營利聯盟LOT (licenseon transfer) Network,展現面對全球智慧財產政策變動下,持續守護創新與降低風險的堅定承諾。
法律遵循是企業經營的基石,聯電承諾遵守法律法規,並建立完善的合規體系,定期進行法律訓練,確保員工遵循相關要求。聯電也積極監控法律變化,調整內部政策,以保持合法合規,驅動永續發展,贏得各方信任與支持。
永續發展聯電多年來積極推動永續價值,將其深度融入營運,成為企業文化的核心。公司積極響應全球將升溫控制於1.5℃以內的減碳目標,訂定溫室氣體的短期、長期及淨零排放目標,並成功通過科學基礎減量目標倡議(SBTi)審查,成為全球首家獲得該標準認證的半導體晶圓代工業者。同時,聯電也榮獲台灣淨零行動聯盟「淨零證明標章」金級標章,充分展現公司在減碳領域的堅定承諾。
此外,聯電投資新臺幣18億元興建的「循環經濟資源創生中心」於本年度正式啟用,預計每年可將約1.5萬噸製程廢棄物轉化為有價值的再生資源,減少台灣廠區約三分之一的廢棄物,並創造超過新臺幣一億元的綠色經濟效益。我們期望為廢棄物賦予新價值,開啟新生命旅程,將「循環經濟」從理念落實為具體行動。
榮譽與獎項民國——四年,聯電在S&P Global企業永續評鑑(CSA)持續保持全球半導體業的領先地位,在永續發展、資訊揭露、公司治理、環境保護及友善職場等方面,也獲得了國內外機構、政府及法人頒發的多項榮譽與肯定:連續2年S&P Global CSA評鑑全球半導體產業表現最佳。榮獲S&P Global 2025年永續年鑑半導體產業Top 1%。連續4年於CDP「氣候變遷」及「水安全」評比中獲得雙A頂尖評級(A List)。MSCI ESG評級連續3年獲得AA級。連續11年入選FTSE4Good環球指數及新興市場指數成分股,自民國一○六年指數開辦以來,持續入選臺灣永續指數成分股。連續9年於ISS ESG企業評比中獲得最佳Prime等級最高評價。持續獲得Sustainalytics企業ESG風險評等「低風險」。榮獲亞洲企業社會責任獎(AREA)「負責任企業領袖獎」及「企業永續報告獎」。連續11年於「公司治理評鑑」中榮獲前5%的最優評等。第七度榮獲TCSA「台灣十大永續典範企業獎」。連續獲得TCSA「企業永續報告獎」,並第八度榮獲最高等級白金獎。榮獲HR Asia「亞洲最佳企業雇主獎」。連續23年榮獲「國家企業環保獎」。
展望未來半導體產業不僅是全球經濟發展的基石,更是推動社會進步與人類文明躍升的關鍵引擎。聯電對全球半導體產業的前景及公司未來發展充滿信心,身為全球晶圓代工特殊製程的領導者,聯電憑藉46年的製造經驗、完整的技術平台、及高效多元的營運模式,贏得客戶的堅定信賴。我們將持續推動技術創新,開發前瞻性的解決方案,以滿足客戶不斷變化的需求,為產業樹立新的標竿。展望未來,儘管地緣政治與產能過剩的挑戰依然存在,隨著終端市場庫存調整不均的現象逐步緩解,AI應用的興起將為產業注入強勁動能。聯電將持續在現有基礎上深耕,聚焦推動技術研發、多元產能、卓越製造與永續淨零,致力為所有股東創造穩健回報與長遠價值。
最後,謹向所有股東表達誠摯的謝意,感謝大家對聯電的長期支持。我們期待在來年與各位分享更多聯電的進展與成績,攜手共創美好未來!
面對外部環境的各項挑戰,聯電經營團隊持續以穩健策略推動成長。透過22奈米及28奈米製程技術的深耕,推升這兩個節點年度營收貢獻創歷史新高,預期未來也將持續成長,進一步鞏固聯電在成熟及特殊製程領域的領導地位。在技術創新方面,聯電與imec (InteruniversityMicroelectronics Centre)攜手發展矽光子技術,積極佈局次世代高速通訊,持續引領產業發展。在全球策略佈局上,新加坡12i廠第三期擴建已順利啟用,強化聯電集團全球供應鏈的韌性。同時,聯電與英特爾在美國的12奈米量產合作計畫持續推進,並積極探索如美商Polar Semiconductor等新夥伴關係,擴展技術合作與市場版圖。
在永續發展方面,為加速邁向2050淨零承諾,公司將淨零路徑提升至1.5℃情境,並於本年度通過科學基礎減量目標倡議(SBTi)認證,目標2030年減少範疇一及範疇二42%的排放量,截至本年度已較基準年排放量減少30%以上,穩健朝淨零目標邁進。同時,位於南科12A廠的循環經濟資源創生中心正式啟用,積極推動廢棄物於廠內循環利用與資源化,將廢棄物轉化為具經濟價值的產品,展現聯電對永續發展的堅定承諾。聯電亦榮獲S&P Global 《2025年永續年鑑》全球前1%的肯定,彰顯企業在永續經營的卓越領導實力。
民國一一四年營運成果概要如下:營運與財務民國——四年,聯電營收逐季成長,獲利能力穩健,產品組合持續優化,全年營運反映需求溫和復甦。全年晶圓代工出貨量達387萬片約當12吋晶圓,年營收為新臺幣2,376億元,毛利率29.0%,營業利益率18.5%。歸屬母公司的全年獲利達新臺幣417億元,每股盈餘為新臺幣3.34元。全年資本支出約美金16億元,主要用於台南Fab 12A廠、新加坡Fab 12i廠及中國Fab 12X廠的產能擴建,及日本Fab 12M廠與其他8吋廠之產品組合優化與技術升級。這些投資將有助於聯電兼顧長期獲利能力與市佔率的穩健成長。製程技術研發民國——四年,聯電持續擴大研發投資,致力於成熟製程的差異化,並積極拓展高附加價值的新興應用領域。本年度研發投入達新臺幣177億元,專注於5G通訊、人工智慧、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術開發。隨著產業逐步邁向28奈米世代,聯電在12奈米與14奈米特殊製程、3D IC封裝及矽光子的研發上展現關鍵優勢,持續保持技術領先與差異化,創造最大價值。以下為本年度重點研發項目:
1. 12奈米FinFET製程技術平台(12FFC):相較於14FFC,12FFC具備更小晶片尺寸、更低功耗及更高性能,充分發揮FinFET優勢,廣泛應用於各類半導體產品。聯電與英特爾於美國合作開發12奈米FinFET製程,是聯電推動具成本效益、產能擴張及技術升級的重要策略佈局。目前合作進展順利,英特爾已於本年度完成製程技術轉移,順利導入聯電的高效能、低功耗及小晶片面積的12奈米FinFET製程技術,並正加速於亞利桑那廠區進行製程驗證,預計民國——五年完成驗證及民國——六年進入量產,將成為聯電在美國本土的第一個生產基地。2.14奈米FinFET嵌入式高壓製程技術平台(14eHV):成功將高壓25V製程與14FFC(14nm FinFET Compact)技術結合,性能較22/28奈米高壓製程大幅提高,晶片尺寸更小、功耗更低,競爭力顯著提升。3.28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台(28eHV-LP):本年度已將此平台延伸應用於筆記型電腦面板驅動晶片DDIC,相較於傳統DDIC,可降低15%功耗。平台亦專注於元件微縮與整合,為驅動晶片設計公司提供更高競爭力,奠定未來中型面板應用基礎。4.非揮發性記憶體製程平台:28奈米非揮發性記憶體製程平台(28ESF4) 已完成通用及物聯網微處理器(Generic & loT)及車用電子(Auto G1) 驗證,並與多家客戶展開終端產品設計合作,預計民國一一五年陸續完成客戶驗證。22奈米電阻式記憶體製程平台(22RRAM)則與力旺電子合作,於本年度完成平台升級,操作溫度範圍由-40℃~105℃提升至-40℃~125℃,並已與多家客戶展開產品設計合作。5.55奈米BCD非磊晶製程技術平台(55BCD):今年完成55奈米BCD非磊晶(BCD-NonEpi) 及BCD絕緣層上覆矽(BCD-SOI)第一階段元件開發與設計規範,聚焦車用電子、行動裝置及工業控制等電源管理(PMIC)應用。同時完成BCD磊晶製程(BCD-Epi) 初步元件開發,目前客戶測試晶片正在驗證中,預計民國————五年下半年進入量產。6. 110奈米BCD 3.3V新應用平台:新增1.5V數位元件,並完成5V至30V類比元件的FDK建置,預計民國一一五年完成製程開發並通過驗證,民國——————六年進入量產。7.153奈米客製化手機功率IC (PMIC):於民國——三年試產成功,本年度順利量產。8. 射頻絕緣半導體技術(RFSOI) 製程平台:40奈米RFSOI毫米波(mmWave)技術將於民國——五年量產,高性能功率放大器新元件亦在開發中。針對FR3頻段天線調諧器的40RFSOI-FR3技術已完成驗證,預計民國——五年啟動客戶原型設計。22奈米RFSOI正處於開發階段,為40GHz以上市場應用做準備。RFSOI平台的3D IC解決方案亦已開發完成,可供客戶進行原型設計。9.先進封裝技術:在移動設備射頻元件(RFFE)方面,已利用晶圓級混合鍵合技術(W2W hybrid bonding)實現尺寸微縮並進入量產;在邊緣人工智慧(Edge Al)領域,主動式中介層(Active interposer) 結合中矽穿孔技術(TSV-Middle)與邏輯製程,現正與多家客戶進行驗證;在高效能運算(HPC)及雲端AI應用方面,已成功於矽中介層中導入深溝槽電容(DTC, Deep TrenchCapacitor),為2.5D封裝晶片提供優異電源完整性,並已出貨予主要客戶。10. 氮化鎵(GaN)元件製程:成功開發氮化鎵射頻(RF)及功率元件製程,其中射頻開關及射頻功率放大器(PA)元件製程已量產。另外氮化鎵(GaN) 650V功率元件製程則正在進行客戶驗證與試產階段中。11. 12吋矽光子技術開發:聯電已取得全球知名研發機構imec的iSiPP300矽光子製程技術授權,正全力投入12吋矽光子技術研發,目前已正式進入試產階段。未來將結合聯電多年半導體製造經驗,推出12吋矽光子技術平台,以瞄準下世代高速連接應用市場。專利/智慧財產權/法律遵循面對激烈的全球技術競賽,聯電致力於保護研發成果及與合作夥伴創造的價值,透過專利與營業秘密的雙軌保護機制,提升競爭力。歷年來整體專利獲權總數皆保持穩定成長,本年度共獲得國內外專利623件,目前聯電集團的專利總數已超過16,700件,這不僅是數字,而是聯電為製程技術打造的堅實智權壁壘。此外,聯電於民國——四年加入全球性專利授權平台與非營利聯盟LOT (licenseon transfer) Network,展現面對全球智慧財產政策變動下,持續守護創新與降低風險的堅定承諾。
法律遵循是企業經營的基石,聯電承諾遵守法律法規,並建立完善的合規體系,定期進行法律訓練,確保員工遵循相關要求。聯電也積極監控法律變化,調整內部政策,以保持合法合規,驅動永續發展,贏得各方信任與支持。
永續發展聯電多年來積極推動永續價值,將其深度融入營運,成為企業文化的核心。公司積極響應全球將升溫控制於1.5℃以內的減碳目標,訂定溫室氣體的短期、長期及淨零排放目標,並成功通過科學基礎減量目標倡議(SBTi)審查,成為全球首家獲得該標準認證的半導體晶圓代工業者。同時,聯電也榮獲台灣淨零行動聯盟「淨零證明標章」金級標章,充分展現公司在減碳領域的堅定承諾。
此外,聯電投資新臺幣18億元興建的「循環經濟資源創生中心」於本年度正式啟用,預計每年可將約1.5萬噸製程廢棄物轉化為有價值的再生資源,減少台灣廠區約三分之一的廢棄物,並創造超過新臺幣一億元的綠色經濟效益。我們期望為廢棄物賦予新價值,開啟新生命旅程,將「循環經濟」從理念落實為具體行動。
榮譽與獎項民國——四年,聯電在S&P Global企業永續評鑑(CSA)持續保持全球半導體業的領先地位,在永續發展、資訊揭露、公司治理、環境保護及友善職場等方面,也獲得了國內外機構、政府及法人頒發的多項榮譽與肯定:連續2年S&P Global CSA評鑑全球半導體產業表現最佳。榮獲S&P Global 2025年永續年鑑半導體產業Top 1%。連續4年於CDP「氣候變遷」及「水安全」評比中獲得雙A頂尖評級(A List)。MSCI ESG評級連續3年獲得AA級。連續11年入選FTSE4Good環球指數及新興市場指數成分股,自民國一○六年指數開辦以來,持續入選臺灣永續指數成分股。連續9年於ISS ESG企業評比中獲得最佳Prime等級最高評價。持續獲得Sustainalytics企業ESG風險評等「低風險」。榮獲亞洲企業社會責任獎(AREA)「負責任企業領袖獎」及「企業永續報告獎」。連續11年於「公司治理評鑑」中榮獲前5%的最優評等。第七度榮獲TCSA「台灣十大永續典範企業獎」。連續獲得TCSA「企業永續報告獎」,並第八度榮獲最高等級白金獎。榮獲HR Asia「亞洲最佳企業雇主獎」。連續23年榮獲「國家企業環保獎」。
展望未來半導體產業不僅是全球經濟發展的基石,更是推動社會進步與人類文明躍升的關鍵引擎。聯電對全球半導體產業的前景及公司未來發展充滿信心,身為全球晶圓代工特殊製程的領導者,聯電憑藉46年的製造經驗、完整的技術平台、及高效多元的營運模式,贏得客戶的堅定信賴。我們將持續推動技術創新,開發前瞻性的解決方案,以滿足客戶不斷變化的需求,為產業樹立新的標竿。展望未來,儘管地緣政治與產能過剩的挑戰依然存在,隨著終端市場庫存調整不均的現象逐步緩解,AI應用的興起將為產業注入強勁動能。聯電將持續在現有基礎上深耕,聚焦推動技術研發、多元產能、卓越製造與永續淨零,致力為所有股東創造穩健回報與長遠價值。
最後,謹向所有股東表達誠摯的謝意,感謝大家對聯電的長期支持。我們期待在來年與各位分享更多聯電的進展與成績,攜手共創美好未來!