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南亞科 (2408)

南亞科技股份有限公司

基本資料

公司識別

  • 代碼： 2408
  • 簡稱： 南亞科
  • 英文簡稱： NTC
  • 公司全稱： 南亞科技股份有限公司
  • 統一編號： 89390656
  • 市場別： 上市
  • 產業類別： 半導體業
  • 成立日期： 1995/03/04
  • 上市／上櫃日期： 2000/08/17

經營層與聯絡方式

  • 董事長： 鄒明仁
  • 總經理： 李培瑛
  • 發言人： 李培瑛（總經理）
  • 代理發言人： 吳志祥
  • 電話： (02)2904-5858
  • 地址： 新北市泰山區大科里南林路98號

股務與財務

  • 實收資本額： 345.02 億元
  • 已發行股數： 3,450,205,894
  • 每股面額： 新台幣 10 元
  • 股務代理： 本公司股務組
  • 股務電話： (02)2718-9898
  • 簽證會計師事務所： 安侯建業聯合會計師事務所
  • 簽證會計師： 張肇文、李慈慧

公司網站：https://www.nanya.com

年報查詢 ｜ 年度報告資料

年報 PDF 下載

114 年報pdf下載
114年報pdf_中文 114 Annual Report_English Version
113 年報pdf下載
113年報pdf_中文 113 Annual Report_English Version

營收分布-產品組合 - 114年度

項目 金額 (千元) 佔比 (%)
消費型電子產品應用領域 36,624,500 55%
低功率產品應用領域 12,652,100 19%
個人電腦系統應用領域 13,983,900 21%
資料中心與伺服器應用領域 3,329,500 5%

致股東報告 - 114年度

一、114年營業報告(一)營運情形:南亞科技114年度合併營收新台幣665.9億元,較113年度341.3億元大幅成長約95.1%;受惠於全球記憶體市場供需結構改善,本公司營運轉虧為盈,全年稅後淨利66.1億元,淨利率9.9%,每股盈餘2.13元。因應人工智慧(artificial intelligence, AI)領域對高階記憶體日益增長的需求,自114年第2季起,主要記憶體大廠調整產能配置,宣布終止供應 DDR4 及LPDDR4 (EOL)的規劃,並將產能升級至生產高頻寬記憶體(HBM)及高容量DDR5模組等產品。此舉導致市場價格出現顯著上揚,本公司第3季平均銷售價格較上一季上漲超過40%,銷售量也同步增加20%以上,而第4季平均銷售價格較第3季繼續上漲超過30%,銷售量季增約10%,全年營收大幅成長。本公司114年第3季開始轉虧為盈。其中,第3季單季獲利15.6億元;第4季獲利大幅攀升至110.9億元。展現強勁的獲利成長動能,預期未來營運狀況可望持續優化。(二)114年度經營績效:1. 業務推廣與市場布局:深化客戶關係,針對各類應用領域進行戰略布局,確保 AI 相關應用的長期需求。(1)消費型電子產品應用領域涵蓋電視、網路通訊、固態硬碟、數位攝影設備、機上盒及車工規等應用,該領域營收占比約55%。(2)低功率產品應用領域涵蓋通訊模塊、多晶片封裝、手持裝置、數位電視、數位相機、語音助理、智慧手錶等,並增加車載出貨,該領域營收占比約19%。(3)個人電腦系統應用領域針對個人電腦系統廠商開發 DDR5 需求,布建多元銷售管道與提升銷售數量,營收占比約21%。(4)資料中心與伺服器應用領域雲端資料中心需求成長,提高伺服器應用模組(RDIMM)銷售,並掌握基板管理控制器(BMC)及網路介面控制器(NIC)等應用需求,營收占比約5%。2. 第二代10奈米級製程技術(1B)實績:1B製程技術月投片產能約占全部產能的1/4,最大可貢獻產出約可達全部晶粒產出的40%。旗下的 16Gb DDR5、8Gb 4與4Gb DDR4相關產品已量產出貨給主控晶片(Controller)廠商。3. 技術發展實績(1)1B 高階產品突破• 結合 1B 及矽穿孔(TSV)製程技術開發的128GB DDR5 RDIMM 5600/6400 Mb/s 已通過功能性測試。• 16Gb DDR5 單晶粒(Mono-die)速度已達7200 Mb/s,滿足高效能運算需求。(2)10奈米第三世代(1C)製程技術先導產品(16Gb DDR5)已於114年第3季進入試產。(3)10奈米第四世代(1D)製程技術先導產品設計中,預計於115年第2季導入試產。(4)客製化產品與策略布局針對超高頻寬產品設計正積極進行中,並以策略性投資及合作來建構邏輯基礎 IC,以完成客製化超高頻寬記憶體的整合,預計115年貢獻營收。4. ESG 與永續經營(1)114年簽訂購買再生電力,將自115年起,每年增加採購4,000萬度綠電,故全年綠電使用量將可達8, 700 萬度以上,約占全年用電量10%。(2)114年度獲得國際碳揭露專案(CDP)氣候變遷及水安全問卷「AList」最高評級。(3)114年連續第三年入選科睿唯安(Clarivate)「2025 全球百大創新機構」(Top 100 Global Innovators),技術創新及專利策略質量成果,獲得國際評鑑單位的肯定。(4)114年蟬聯公司治理評鑑排名前5%,並榮獲TCSA 台灣企業永續獎年度最佳永續報告(製造業)等多項殊榮,充分肯定公司全面推動ESG工作的努力。二、產業前景DRAM 是使所有電子產品智慧化的關鍵零組件,也是AI 發展的必要性產品,廣泛應用於數據中心/伺服器、智慧型手機、個人電腦及消費型電子產品,根據研調預測,115~118年DRAM位元需求的年成長率約16%~20%左右。AI 驅動需求成長:隨著AI 的發展,雲端服務業者持續投資搭載大量高階 DRAM 產品(HBM、LPDDR5 與 RDIMM)的 AI 伺服器,且邊緣運算應用於終端產品(如:AI PC、AI 手機、AI 機器人等),都將推升DRAM的搭載量,帶動需求的成長。伺服器應用:由於雲端 AI 高效運算持續驅動 HBM 與 DDR5 的需求,AI 伺服器及一般伺服器對DRAM 的需求將擴大,115年預期維持成長。智慧型手機應用:手機的 DRAM 需求預期為持平態勢,惟高階機種搭載高容量DRAM 已成趨勢,而AI智慧型手機的興起亦提升對高容量 LPDRAM 的需求。個人電腦應用:整體PC出貨雖預期可能微幅下滑,但因作業系統的升級將帶動 DRAM 搭載量增加,整體 PC 市場需求可望微幅成長。其他產品應用:網通產品市況穩健,高價消費型產品需求暢旺,低價產品需求放緩。供需分析:AI 廣泛的應用驅動 DRAM 需求快速成長,主要供應商減少 DDR4/LPDDR4 產出,產能陸續轉至HBM 及DDR5/LPDDR5,DRAM 資本支出主要在先進製程與高端產品,整體 DRAM 供應相對吃緊,預期將延續至116年。三、115年營運計畫(一)策略方針1. 優化既有產能獲利:持續優化產品組合(DDR4、LPDDR4、DDR5 等),滿足現有及潛在客戶需求,以提升整體獲利能力。2. 擴大高效能產品比重:增加伺服器級記憶體模組的出貨,支應資料中心及邊緣運算的需求。3. 加速開發客製化超高頻寬記憶體:完成產品驗證,以因應 AI 邊緣運算市場的興起。4. 加速5A新廠營建:完成5A 新廠的廠務設施及無塵室建設,預期 116年初開始導入製程設備。(二)私募概況本公司已於115年4月完成私募並取得股款約新台幣787億元,將用於支應先進記憶體製造之廠務與生產設備,並且①強化南亞科與客戶的合作關係、②建立在AI/CSP 供應鏈中的雙贏(e-SSD、網通產品)及③確立南亞科在AI 價值鏈的市場地位。(三)業務推廣重點1. 策略性支持消費型電子產品市場:擴大 20 奈米及 1B 奈米 DDR4 產出,擴展在數位電視、網通、固態硬碟、數位攝影設備、機上盒及車工規等消費型電子產品應用需求,以提升獲利空間。2. 1B 產品推廣:推廣 16Gb DDR5 個人電腦領域應用,提供超頻解決方案,並陸續導入固態硬碟、網通及伺服器模組等應用之驗證,擴大未來產品的應用。3. 維持低功率市場銷售量能:①著重在中高階消費型產品,如車載、語音助理、手持裝置、智慧手錶及數位電視等,將提升車載應用之占比;②深化與 5G 通訊應用客戶的策略性合作關係;③穩定立足在數位相機多晶片封裝、嵌入式層疊封裝等應用之關鍵性市場地位。4. 最佳化利基型產品銷售:以最適化產能配置支持良裸晶需求,持續拓展數位電視、網通、數位攝影設備、儲存設備等應用領域。5. 擴展客製化業務:導入客製化AI 高頻寬記憶體產線。(四)技術發展計畫1. 1B 製程:本年預計完成16Gb DDR5 微縮版、16Gb DDR4及8Gb/16Gb LPDDR4的產品驗證,另外 8Gb/16Gb LPDDR5 導入試產。2.1C/1D 製程:使用1C製程技術的先導產品(16Gb DDR5),預計於115年下半年完成驗證。使用1D 製程技術的先導產品(16Gb DDR5),預計於115年第2季導入試產。3. 客製化開發:與合作夥伴開發客製化、高效能、低功耗超高頻寬記憶體,預計116年上半年增加營收。(五)資本支出預算董事會原通過114年資本支出預算上限新台幣196億元,實際支出新台幣134億元,其中新台幣62億元,將遞延至115年。115 年度,因應部分產能轉進1B 製程技術的尾款,5A 新廠營建類、廠務及無塵室設施,研發及一般性資本支出等,預計上限為新台幣520億元;其中生產設備資本支出約佔三成。(六)中長期營運計畫1. 製程微縮:透過自主研發 1C/1D/1E 等製程技術,微縮既有產品以提高競爭力,將開發高容量、高速產品組合,以服務客戶對於低、中、高容量的市場需求。2. 新種業務:開發客製化超高頻寬記憶體及量產銷售。3. 產能規劃:短期加速5A 新廠擴建,並規劃中長期新廠選址及產能。四、結論展望115年,本公司將持續優化各 DRAM 產品線供應,以增加獲利,並且盡最大努力完成5A 新廠及無塵室建置,為先進製程擴大產能預做準備。同時,堅持「技術創新」為公司核心價值及成長的主要動力,將投入更多研發資源,加速開發10奈米級製程技術與更多新世代DDR5/LPDDR5/AI 高頻寬的產品,提升競爭力,努力為所有股東創造更多的價值,善盡企業社會責任,邁向永續發展。

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