各位股東女士、先生:民國114年全球經濟仍受地緣政治緊張與高利率尾隨影響,市場能見度持續低迷,特別是漢磊科技所聚焦服務的車用工控市場而言,仍舊處於庫存調整期;尤其是歐美電動車市場需求放緩,對於化合物半導體的需求不如預期,加上中國碳化矽(SiC)產能正處於爆發性擴張的階段,價格競爭激烈,行業嚴重內卷。在此嚴峻的競爭環境下,漢磊科技民國114年營收較前一年下滑約0.87%,基本持平。
面對新的一年,隨著AI數據中心對高效能電源管理需求爆發,以及電動車800V高壓平台滲透率提升,帶動化合物半導體(SiC/GaN)重回高成長軌道。漢磊在過去一年除了積極投入下一代技術開發,另外特別是8吋(200mm)SiC產線與世界先進(VIS)的策略合作已進入關鍵佈建期。經營團隊將持續秉持品質改善與成本控制,致力於展現營收獲利之良好表現。
營業計畫實施成果:-營運執行情形:本公司114年度合併營業收入為新台幣57.65億元,較113年的58. 16億元,減少0.87%;在本期損益方面,淨損新台幣7.49億元,與113年的淨損新台幣4.14億元相比,淨損增加80.99%。114年度合併營運執行情形如下:項目 114年度 單位:新台幣仟元營業收入 5, 765, 972 113年度 5,816, 920營業毛利 (190, 447) 42, 101稅後淨利 (748,891) (413,784)每股盈餘 (1.97)元 (1.51)元
-研究發展狀況:1. 利基產品持續量產:除FRED、FRMOS、TVS及ATV產品持續擴大應用場景外,積極將利基型產品導入AI伺服器供應鏈,提升毛利率。2. 化合物半導體元件技術突破:• 碳化矽(SiC):平面式第四代高規格MOSFET已進入量產;平面式第五代技術開發進度符合預期。與國外大廠合作開發之SiC溝槽式(Trench)MOSFET技術,預計於民國115年下半年進入量產階段。除了技術的向下迭代,也開始佈局更多樣的元件開發,如SiC-JFET與SiC BJT。• 氮化鎵(GaN):新世代G6產品出貨量持續攀升,憑藉縮小一半晶片面積之成本優勢,已廣泛應用於高階電源適配器與車載充電器。3.下一代製程佈建:正式啟動與世界先進合作之 8 吋 SiC 生產線設備安裝與製程驗證,為民國116年的大規模量產奠定基礎。- 1 -
未來展望根據世界半導體貿易統計組織 WSTS 所公布的民國115年市場展望,全球半導體市場將成長26.3%,達9754億美元的規模。其中功率器件市場將回到成長軌跡,預計成長8.2%。全球化合物功率半導體的市場亦呈現大幅成長態勢,其中預測SiC市場民國113年至民國119年的年複合成長率達20.3%,預估民國119年達100億美元市場規模。市場機會:SiC 市場至民國118年之年複合成長率達24%,漢磊將鎖定汽車、綠能及 AI 伺服器產品需求,滿足客戶對高效能功率元件的渴望。全球佈局:利用地緣政治優勢,漢磊將持續深耕歐美及日系客戶,並藉由 VDA 6.3 品質系統 A 級認證優勢,全力拓展車用電子產線。長期目標:持續擴大6吋 GaN 及 SiC 產能,同時加速8吋 SiC 試產,俾能為客戶、股東及全體員工創造長期創新價值。敬祝各位股東 女士、先生身體健康事業成功。
面對新的一年,隨著AI數據中心對高效能電源管理需求爆發,以及電動車800V高壓平台滲透率提升,帶動化合物半導體(SiC/GaN)重回高成長軌道。漢磊在過去一年除了積極投入下一代技術開發,另外特別是8吋(200mm)SiC產線與世界先進(VIS)的策略合作已進入關鍵佈建期。經營團隊將持續秉持品質改善與成本控制,致力於展現營收獲利之良好表現。
營業計畫實施成果:-營運執行情形:本公司114年度合併營業收入為新台幣57.65億元,較113年的58. 16億元,減少0.87%;在本期損益方面,淨損新台幣7.49億元,與113年的淨損新台幣4.14億元相比,淨損增加80.99%。114年度合併營運執行情形如下:項目 114年度 單位:新台幣仟元營業收入 5, 765, 972 113年度 5,816, 920營業毛利 (190, 447) 42, 101稅後淨利 (748,891) (413,784)每股盈餘 (1.97)元 (1.51)元
-研究發展狀況:1. 利基產品持續量產:除FRED、FRMOS、TVS及ATV產品持續擴大應用場景外,積極將利基型產品導入AI伺服器供應鏈,提升毛利率。2. 化合物半導體元件技術突破:• 碳化矽(SiC):平面式第四代高規格MOSFET已進入量產;平面式第五代技術開發進度符合預期。與國外大廠合作開發之SiC溝槽式(Trench)MOSFET技術,預計於民國115年下半年進入量產階段。除了技術的向下迭代,也開始佈局更多樣的元件開發,如SiC-JFET與SiC BJT。• 氮化鎵(GaN):新世代G6產品出貨量持續攀升,憑藉縮小一半晶片面積之成本優勢,已廣泛應用於高階電源適配器與車載充電器。3.下一代製程佈建:正式啟動與世界先進合作之 8 吋 SiC 生產線設備安裝與製程驗證,為民國116年的大規模量產奠定基礎。- 1 -
未來展望根據世界半導體貿易統計組織 WSTS 所公布的民國115年市場展望,全球半導體市場將成長26.3%,達9754億美元的規模。其中功率器件市場將回到成長軌跡,預計成長8.2%。全球化合物功率半導體的市場亦呈現大幅成長態勢,其中預測SiC市場民國113年至民國119年的年複合成長率達20.3%,預估民國119年達100億美元市場規模。市場機會:SiC 市場至民國118年之年複合成長率達24%,漢磊將鎖定汽車、綠能及 AI 伺服器產品需求,滿足客戶對高效能功率元件的渴望。全球佈局:利用地緣政治優勢,漢磊將持續深耕歐美及日系客戶,並藉由 VDA 6.3 品質系統 A 級認證優勢,全力拓展車用電子產線。長期目標:持續擴大6吋 GaN 及 SiC 產能,同時加速8吋 SiC 試產,俾能為客戶、股東及全體員工創造長期創新價值。敬祝各位股東 女士、先生身體健康事業成功。