面對 114 年度全球地緣政治不確定性、被動元件市場競爭加劇及持續之價格壓力,本公司仍穩健推進既定策略,聚焦於產品結構優化、產能效率提升及高附加價值市場之布局。114年度營收較113年度成長13%,主要受惠於產品組合優化與高階應用之深化,公司持續將資源集中於AI 伺服器、車用電子、新能源及工業應用等高成長、高技術門檻市場,致力於提升產品平均單價與毛利結構,以抵禦通用型產品價格競爭之衝擊。在製造端方面,隨著113年度庫存去化完成,114年度產能利用率及製造效率均有顯著提升;同時,透過整合南通生產基地之製造優勢,強化通用型產品之供應彈性與交期穩定度,成功擴大既有核心客戶之採購規模。此外,公司持續推動內部職能分工制度,明確研發、製造、業務與品質管理之責任範疇,藉由專業化運作提升整體決策速度與營運效率,期望為 115 年度營收與獲利之同步成長奠定堅實基礎。
研究發展狀況厚膜事業部研究發展狀況1.1. 延伸銅製程 Copper Alloy-CA系列晶片電阻產品,型別1206/2512阻值在 0.01~0.05 Ω的功率提升與 TCR 優化提高與金屬箔產品的競爭力。1.2. 延伸開發銅製程 Chip Resister-CR..R 系列晶片電阻產品,型別0805/1206//2512 阻值提升到10~50Ω擴大成本優勢提高產品競爭力。1.3. 高穩定型 AEC-Q200, High Stability-QS 系列晶片電阻產品,型別 0402/0603/0805/ 1206 主打高穩定度變化率±1%,阻值範圍從 1Ω~10MΩ填補薄膜電阻不易做到10Ω以下以及1MΩ以上的市場需求。1.4. 開發大電流跳線產品 CUH..R 系列 0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512,最高保證阻值<0.01Ω,最大工作電流相較於現有厚膜跳線產品將有 3~8倍的提升 (5A~16A),並利用銅製程來擴大成本優勢以及完全耐硫化的特性來提高競爭力。1.5. 掌握產業合作契機,投入 3216 尺寸晶片天線的研製與生產,成功切入藍牙耳機及行動裝置供應鏈;未來將進一步拓展技術應用,開發車用導航雙頻天線,深化多元布局。1.6. 延續4倍功率抗突波電阻的開發並導入 AEC-Q200 規格提供車規產品市場,對於日益漸增大功率抗突波能力的需求。薄膜事業部研究發展狀況2.1. 薄膜及金屬膜微電阻投入 TRL/TR 01005 小型別的研發進程。金屬膜微阻值重心在1Ω左右阻值,薄膜提供 49.9~11.8KΩ阻值範圍的應用。目前 01005 已進入量產前試作階段,已供應下世代手機機種的打樣需求。2.2. TQV 高壓薄膜晶片電阻開發進入量產驗證階段,TQV 1206/1210 阻值上限延伸至 2MΩ。電壓應用範圍提升至 1000V,最大過負載電壓提升至 2000V,ESD 耐受度提升至4KV。應用於 BMS (電池管理系統)、車載充電器 (OBC) 與逆變器,監測高壓電池組電壓。2.3. Thermal Jumper 熱跳線晶片 TJ 0508/0603/0612/1206/1225/2512 開發進入量產。熱跳線晶片廣泛應用於空間受限且散熱要求高的領域,能將熱源快速散逸讓電路系統有效率的降溫,提高計算能力及延長電路元件的壽命,可望滿足未來在 AI 應用的快速成長。2.4. TS 高穩定型車用薄膜電阻系列,符合 AEC-Q200 測試規範,進入量產驗證階段。耐高溫儲存上升至175℃,最高額定溫度到85℃,兼具較小的信賴性偏移量,達成卓越的高穩定性 (High Stability),除應用於車用一般電子產品,也適合於AI 伺服器的高溫環境應用,為後續本公司薄膜電阻主力產品之一。2.5. 氮化鋁超高功率薄膜晶片電阻 THH 1206 49.9Ω~1KΩ2W,八倍功率於一般晶片電阻。氮化鋁薄膜電阻因具備極高熱導率與低電容特性,其應用於精確訊號處理且發熱量大的領域。目前已製作出原型樣品,預期 115年開發完成。金屬板事業部研究發展狀況3.1. 研發小尺寸、高功率電阻產品,開發出 MAH2512-5W-0.5 mΩ~20mΩ產品。目前已進入量試測試階段。同尺寸 2512 可比一般品耐功率提高至 5W,目前應用LED 車燈控制,專門用於車頭燈的精確電流驅動,節省空間的同時能維持高功率運作。3.2. MA2512-3W-0.3 mΩ ~ 0.5mΩ超薄型金屬板電阻已完成相關信賴性測試,目前導入量產。其超薄特性產品厚度僅約 0.85mm,適合安裝於空間受限的模組中。超薄設計有利於雙面散熱結構,可顯著縮小功率模組的體積。3.3.合金超低阻電阻產品MA0508-1W-0.5mΩ~2mΩ,目前已進入量產測試階段。極佳的穩定性與抗突波能力,寬邊電極有其優異的散熱效能,使其在 0508 的微小尺寸下,功率可達1W,遠高於傳統0805 電阻。3.4. 小尺寸 MAL 1206-1W-11 mΩ~ 25 mΩ低感值金屬板電阻,目前已進入量產階段。MAL1206 低感值金屬板電阻兼具節省空間與訊號完整性的優點,其低感值特性能減少信號畸變,主要應用於對高頻雜訊敏感線路、無線通訊基站與 GPS 模組。3.5 四端子金屬板電阻 MAF 0612 1mΩ~2mΩ,已完成相關信賴性測試,進入量產階段。四端子金屬板電阻將電流路徑與電壓量測完全分離,能更加準確的檢測電流值。產品應用於伺服器與資料中心,DC-DC 轉換器與電壓調節模組。3.6 MU2512-3W-0.2mΩ超低阻值產品,目前已進入量產。在極短的製程中可生產出極低阻值的產品,產品能有效減少在高電流通過時的壓降與功耗,感測高達100A以上的充放電電流,應用於電動車(EV) 電池監測,混合動力及純電動車的BMS 電池管理系統。3.7 金屬板 Shunt SRF1216-8W-0.2mR,已完成相關原型品信賴性測試,目前進入小量試產階段。SRF1216-8W-0.2mR 採用四端子結構設計,主要應用於高精度電流感測、電壓分配、高電流電源模組、電機驅動器、工業控制和電池管理系統。
115年度營業計劃天二科技115年成長動能來自於:(1)完善化的產品組合(一)厚膜產品:1. 自107年度起積極開發符合AEC-Q200等級的超級高壓厚膜及超高功率厚膜等產品,於110 年第一季陸續被台、陸資汽車電子設計商與生產商於新機種設計時採用,且單機種用量較大之汽車電子化的需求已經在景氣較不好的114年整年度依然有顯著的接單動能,帶動整體銷售量及銷售價格往上提升;預估 115年度將持續成長。2. 於112年度開發出小尺寸超高功率且超抗浪湧型貼片電阻,同年被新能源汽車設計商採用,預估115年度將持續成長。3. 取得南通生產基地通用型系列的產能,115 年將擴大對既有交易客群的通用型產品推廣力度,拉升單一客戶對本公司的採購金額以及採購量。4. 特定功能性厚膜產品持續在客戶設計端被選用,延續前幾年的經營方式。(二)薄膜產品:1. 小型化 01005 尺寸產品,於 114 年度 Q4 開始提供手機大廠的打樣需求,115 年度可望接單生產,目標市場為高階的穿戴型產品以及高階智慧型手機往模組化的設計。2. 可於惡劣環境下長期承受的高階系列,經過114年與電子產業大廠合作測試,取得正面 的結果並接單生產,將於115年在AI相關題材的高階下游產品被大量採用。3. 熱跳線晶片看好 AI伺服器市場應用,AI 晶片與伺服器功耗不斷攀升,熱跳線可將熱量 直接傳導至散熱片或殼體,有效緩解元件過熱導致的性能降速。114 年度供應大廠承認 並開始下單供貨,展望115年度業績將穩定供應並大幅成長。(三)金屬板產品:1. 小型化寬邊電極產品(MA0508 系列)MA0508 超低阻系列已成功導入知名 AI 電源模組設計與製造大廠供應鏈。展望 115年 度,隨著客戶多款新機種持續沿用此規格,預期銷售規模將隨 AI 市場需求同步成長。2. 高自動化製程產品(MR及MU系列)延續 MR 及MU 系列產品具備之高度自動化生產優勢,繼 113 年度取得多家國際大廠 認證後,114 年度接單動能強勁,並已於第四季完成產能擴充。115 年度將充分發揮擴 產效益,以滿足 MU 系列在AI 運算及逆變儲能領域持續增長之訂單需求。3. AI 高階運算應用布局(SRF1216系列)針對AI領域半導體主流之「低壓高流」供電模式,市場對於四端子結構、高精度及極 低阻值產品需求明確。本公司SRF1216 (8W, 0.2mΩ/0.3mΩ) 產品正積極送樣,目標於 115 年度通過下一世代(116年-117年量產) AI產品之認證,搶佔市場先機。4. 標準尺寸超低阻產品(MU2512系列)MU2512 (0.2mΩ)產品於114年度已獲知名AI 電源設計商承認。預期 115至116年間, 將迎來 AI領域客戶廣泛之樣品需求與認證採用浪潮,不僅提升產品滲透率,亦將顯著 挹注營收。5. 高功率電阻產品(MAH2512系列)MAH2512 (5W, 0.5mΩ~20mΩ)產品經前兩年度積極投入資源推廣,多組客戶已於 114 年完成驗證。115 年度將加大業務推廣力度,鎖定對「高功率密度」電路設計有迫切需 求之客群,以期在該利基市場取得領先地位。(2)市場策略與客戶開發(一)目標市場與產業鎖定電動車 (EV)、新能源、工業自動化及 AI 科技等高成長產業。採取「一站式購足 (One-Stop Shopping)」之推廣策略,將本公司歷年開發之高附加價值、高功率密度電阻產品,精準導入上述目標客戶群體,解決客戶設計痛點。(二)拓展一線代工廠及終端品牌深化與 EMS/OEM/ODM 之合作夥伴關係,採取「雙軌並進」策略:1. 品牌帶動代工:持續直接經營終端知名品牌客戶,待產品通過驗證並獲採用後,指定其電子代工廠與本公司合作,此舉可有效縮短代工廠對供應商之評審流程。2. 供應鏈反向滲透:115 年度將進一步強化與電子代工廠之合作深度,透過其既有供應鏈體系,反向滲透並爭取更多國際品牌客戶之訂單,擴大整體市場份額。(3)115年營運總目標115年度公司營運目標仍設定為年營收雙位數成長。此一目標係建基於 114年度既有營運成果,透過持續放大高成長市場的布局、強化內部執行效率,以及深化客戶關係,全面推動公司營運規模與獲利能力之再成長。
未來公司發展策略、受到外部競爭環境、法規環境及總體經營環境之影響:(一)深化技術護城河與產品組合高值化1. 聚焦 AI 與車用關鍵技術:全力發展 AI 伺服器所需之散熱跳接晶片(Thermal Jumper)、超低阻值金屬板電阻,以及高電壓供應 AI伺服器的趨勢下,再也不是只有通用型厚薄膜產品,將會更聚焦在抗突波厚膜與高壓厚薄膜產品。針對超小型的手持裝置設計趨勢,透過微型化(如 01005 尺寸)與高功率密度技術,建立技術門檻。2. 落實「一站式購足」策略:整合厚膜、薄膜、金屬板及天線產品線,提供客戶完整的電阻解決方案,以高附加價值產品線(High-Value Product Mix)抵禦通用型產品的紅海價格競爭。(二) 雙軌並進之市場擴展策略1. 品牌與代工相互滲透:採取「雙軌業務模式」,一方面直接攻入終端品牌廠取得認證(Design-in),進而指定 EMS 代工廠採購;另一方面透過與一線EMS 廠的深度合作,反向滲透至更多國際品牌供應鏈,以擴大全球市佔率。2. 鎖定高成長應用領域:將資源集中投入於高算力AI伺服器、電動車(EV) 電池管理系統(BMS)、逆變器及工業自動化等剛性需求市場,降低消費性電子景氣波動之影響。(三)優化全球供應鏈與營運效率1. 發揮生產基地分工效益:善用南通生產基地之製造優勢,強化通用型產品之成本競爭力與交期彈性;台灣總部則專注於高階、客製化及新技術產品之研發與生產,以「兩岸分工、優勢互補」提升整體毛利率。2. 組織專業化運作:持續深化研發、製造、品保與業務之職能分工,透過專業化管理提升決策速度與生產良率,建構具備快速反應能力的敏捷組織。(四) 風險管理與永續經營 (ESG)1. 地緣政治與供應鏈韌性:面對全球地緣政治不確定性,將透過多元化供應鏈佈局與庫存動態管理,降低斷鏈風險,並確保原料供應穩定。2. 推動綠色製造與企業承諾:致力於符合國際環保法規與客戶 ESG 要求,開發低能耗製程與環保材料,落實企業社會責任,確保公司在法規環境變遷中保持競爭力。
綜上所述,面對 115 年度充滿挑戰與機會的經營環境,本公司將堅持「技術領先、品質至上、客戶導向」之核心價值,穩健推動轉型升級。期盼所有股東能繼續提攜與支持,您的信任是本公司最大的發展動力。在此對所有客戶、供應商、股東與全體同仁,致上最誠摯的謝意。敬祝各位股東女士、先生身體健康、萬事如意
研究發展狀況厚膜事業部研究發展狀況1.1. 延伸銅製程 Copper Alloy-CA系列晶片電阻產品,型別1206/2512阻值在 0.01~0.05 Ω的功率提升與 TCR 優化提高與金屬箔產品的競爭力。1.2. 延伸開發銅製程 Chip Resister-CR..R 系列晶片電阻產品,型別0805/1206//2512 阻值提升到10~50Ω擴大成本優勢提高產品競爭力。1.3. 高穩定型 AEC-Q200, High Stability-QS 系列晶片電阻產品,型別 0402/0603/0805/ 1206 主打高穩定度變化率±1%,阻值範圍從 1Ω~10MΩ填補薄膜電阻不易做到10Ω以下以及1MΩ以上的市場需求。1.4. 開發大電流跳線產品 CUH..R 系列 0402/0603/0805/1206/1210/2010/2512,最高保證阻值<0.01Ω,最大工作電流相較於現有厚膜跳線產品將有 3~8倍的提升 (5A~16A),並利用銅製程來擴大成本優勢以及完全耐硫化的特性來提高競爭力。1.5. 掌握產業合作契機,投入 3216 尺寸晶片天線的研製與生產,成功切入藍牙耳機及行動裝置供應鏈;未來將進一步拓展技術應用,開發車用導航雙頻天線,深化多元布局。1.6. 延續4倍功率抗突波電阻的開發並導入 AEC-Q200 規格提供車規產品市場,對於日益漸增大功率抗突波能力的需求。薄膜事業部研究發展狀況2.1. 薄膜及金屬膜微電阻投入 TRL/TR 01005 小型別的研發進程。金屬膜微阻值重心在1Ω左右阻值,薄膜提供 49.9~11.8KΩ阻值範圍的應用。目前 01005 已進入量產前試作階段,已供應下世代手機機種的打樣需求。2.2. TQV 高壓薄膜晶片電阻開發進入量產驗證階段,TQV 1206/1210 阻值上限延伸至 2MΩ。電壓應用範圍提升至 1000V,最大過負載電壓提升至 2000V,ESD 耐受度提升至4KV。應用於 BMS (電池管理系統)、車載充電器 (OBC) 與逆變器,監測高壓電池組電壓。2.3. Thermal Jumper 熱跳線晶片 TJ 0508/0603/0612/1206/1225/2512 開發進入量產。熱跳線晶片廣泛應用於空間受限且散熱要求高的領域,能將熱源快速散逸讓電路系統有效率的降溫,提高計算能力及延長電路元件的壽命,可望滿足未來在 AI 應用的快速成長。2.4. TS 高穩定型車用薄膜電阻系列,符合 AEC-Q200 測試規範,進入量產驗證階段。耐高溫儲存上升至175℃,最高額定溫度到85℃,兼具較小的信賴性偏移量,達成卓越的高穩定性 (High Stability),除應用於車用一般電子產品,也適合於AI 伺服器的高溫環境應用,為後續本公司薄膜電阻主力產品之一。2.5. 氮化鋁超高功率薄膜晶片電阻 THH 1206 49.9Ω~1KΩ2W,八倍功率於一般晶片電阻。氮化鋁薄膜電阻因具備極高熱導率與低電容特性,其應用於精確訊號處理且發熱量大的領域。目前已製作出原型樣品,預期 115年開發完成。金屬板事業部研究發展狀況3.1. 研發小尺寸、高功率電阻產品,開發出 MAH2512-5W-0.5 mΩ~20mΩ產品。目前已進入量試測試階段。同尺寸 2512 可比一般品耐功率提高至 5W,目前應用LED 車燈控制,專門用於車頭燈的精確電流驅動,節省空間的同時能維持高功率運作。3.2. MA2512-3W-0.3 mΩ ~ 0.5mΩ超薄型金屬板電阻已完成相關信賴性測試,目前導入量產。其超薄特性產品厚度僅約 0.85mm,適合安裝於空間受限的模組中。超薄設計有利於雙面散熱結構,可顯著縮小功率模組的體積。3.3.合金超低阻電阻產品MA0508-1W-0.5mΩ~2mΩ,目前已進入量產測試階段。極佳的穩定性與抗突波能力,寬邊電極有其優異的散熱效能,使其在 0508 的微小尺寸下,功率可達1W,遠高於傳統0805 電阻。3.4. 小尺寸 MAL 1206-1W-11 mΩ~ 25 mΩ低感值金屬板電阻,目前已進入量產階段。MAL1206 低感值金屬板電阻兼具節省空間與訊號完整性的優點,其低感值特性能減少信號畸變,主要應用於對高頻雜訊敏感線路、無線通訊基站與 GPS 模組。3.5 四端子金屬板電阻 MAF 0612 1mΩ~2mΩ,已完成相關信賴性測試,進入量產階段。四端子金屬板電阻將電流路徑與電壓量測完全分離,能更加準確的檢測電流值。產品應用於伺服器與資料中心,DC-DC 轉換器與電壓調節模組。3.6 MU2512-3W-0.2mΩ超低阻值產品,目前已進入量產。在極短的製程中可生產出極低阻值的產品,產品能有效減少在高電流通過時的壓降與功耗,感測高達100A以上的充放電電流,應用於電動車(EV) 電池監測,混合動力及純電動車的BMS 電池管理系統。3.7 金屬板 Shunt SRF1216-8W-0.2mR,已完成相關原型品信賴性測試,目前進入小量試產階段。SRF1216-8W-0.2mR 採用四端子結構設計,主要應用於高精度電流感測、電壓分配、高電流電源模組、電機驅動器、工業控制和電池管理系統。
115年度營業計劃天二科技115年成長動能來自於:(1)完善化的產品組合(一)厚膜產品:1. 自107年度起積極開發符合AEC-Q200等級的超級高壓厚膜及超高功率厚膜等產品,於110 年第一季陸續被台、陸資汽車電子設計商與生產商於新機種設計時採用,且單機種用量較大之汽車電子化的需求已經在景氣較不好的114年整年度依然有顯著的接單動能,帶動整體銷售量及銷售價格往上提升;預估 115年度將持續成長。2. 於112年度開發出小尺寸超高功率且超抗浪湧型貼片電阻,同年被新能源汽車設計商採用,預估115年度將持續成長。3. 取得南通生產基地通用型系列的產能,115 年將擴大對既有交易客群的通用型產品推廣力度,拉升單一客戶對本公司的採購金額以及採購量。4. 特定功能性厚膜產品持續在客戶設計端被選用,延續前幾年的經營方式。(二)薄膜產品:1. 小型化 01005 尺寸產品,於 114 年度 Q4 開始提供手機大廠的打樣需求,115 年度可望接單生產,目標市場為高階的穿戴型產品以及高階智慧型手機往模組化的設計。2. 可於惡劣環境下長期承受的高階系列,經過114年與電子產業大廠合作測試,取得正面 的結果並接單生產,將於115年在AI相關題材的高階下游產品被大量採用。3. 熱跳線晶片看好 AI伺服器市場應用,AI 晶片與伺服器功耗不斷攀升,熱跳線可將熱量 直接傳導至散熱片或殼體,有效緩解元件過熱導致的性能降速。114 年度供應大廠承認 並開始下單供貨,展望115年度業績將穩定供應並大幅成長。(三)金屬板產品:1. 小型化寬邊電極產品(MA0508 系列)MA0508 超低阻系列已成功導入知名 AI 電源模組設計與製造大廠供應鏈。展望 115年 度,隨著客戶多款新機種持續沿用此規格,預期銷售規模將隨 AI 市場需求同步成長。2. 高自動化製程產品(MR及MU系列)延續 MR 及MU 系列產品具備之高度自動化生產優勢,繼 113 年度取得多家國際大廠 認證後,114 年度接單動能強勁,並已於第四季完成產能擴充。115 年度將充分發揮擴 產效益,以滿足 MU 系列在AI 運算及逆變儲能領域持續增長之訂單需求。3. AI 高階運算應用布局(SRF1216系列)針對AI領域半導體主流之「低壓高流」供電模式,市場對於四端子結構、高精度及極 低阻值產品需求明確。本公司SRF1216 (8W, 0.2mΩ/0.3mΩ) 產品正積極送樣,目標於 115 年度通過下一世代(116年-117年量產) AI產品之認證,搶佔市場先機。4. 標準尺寸超低阻產品(MU2512系列)MU2512 (0.2mΩ)產品於114年度已獲知名AI 電源設計商承認。預期 115至116年間, 將迎來 AI領域客戶廣泛之樣品需求與認證採用浪潮,不僅提升產品滲透率,亦將顯著 挹注營收。5. 高功率電阻產品(MAH2512系列)MAH2512 (5W, 0.5mΩ~20mΩ)產品經前兩年度積極投入資源推廣,多組客戶已於 114 年完成驗證。115 年度將加大業務推廣力度,鎖定對「高功率密度」電路設計有迫切需 求之客群,以期在該利基市場取得領先地位。(2)市場策略與客戶開發(一)目標市場與產業鎖定電動車 (EV)、新能源、工業自動化及 AI 科技等高成長產業。採取「一站式購足 (One-Stop Shopping)」之推廣策略,將本公司歷年開發之高附加價值、高功率密度電阻產品,精準導入上述目標客戶群體,解決客戶設計痛點。(二)拓展一線代工廠及終端品牌深化與 EMS/OEM/ODM 之合作夥伴關係,採取「雙軌並進」策略:1. 品牌帶動代工:持續直接經營終端知名品牌客戶,待產品通過驗證並獲採用後,指定其電子代工廠與本公司合作,此舉可有效縮短代工廠對供應商之評審流程。2. 供應鏈反向滲透:115 年度將進一步強化與電子代工廠之合作深度,透過其既有供應鏈體系,反向滲透並爭取更多國際品牌客戶之訂單,擴大整體市場份額。(3)115年營運總目標115年度公司營運目標仍設定為年營收雙位數成長。此一目標係建基於 114年度既有營運成果,透過持續放大高成長市場的布局、強化內部執行效率,以及深化客戶關係,全面推動公司營運規模與獲利能力之再成長。
未來公司發展策略、受到外部競爭環境、法規環境及總體經營環境之影響:(一)深化技術護城河與產品組合高值化1. 聚焦 AI 與車用關鍵技術:全力發展 AI 伺服器所需之散熱跳接晶片(Thermal Jumper)、超低阻值金屬板電阻,以及高電壓供應 AI伺服器的趨勢下,再也不是只有通用型厚薄膜產品,將會更聚焦在抗突波厚膜與高壓厚薄膜產品。針對超小型的手持裝置設計趨勢,透過微型化(如 01005 尺寸)與高功率密度技術,建立技術門檻。2. 落實「一站式購足」策略:整合厚膜、薄膜、金屬板及天線產品線,提供客戶完整的電阻解決方案,以高附加價值產品線(High-Value Product Mix)抵禦通用型產品的紅海價格競爭。(二) 雙軌並進之市場擴展策略1. 品牌與代工相互滲透:採取「雙軌業務模式」,一方面直接攻入終端品牌廠取得認證(Design-in),進而指定 EMS 代工廠採購;另一方面透過與一線EMS 廠的深度合作,反向滲透至更多國際品牌供應鏈,以擴大全球市佔率。2. 鎖定高成長應用領域:將資源集中投入於高算力AI伺服器、電動車(EV) 電池管理系統(BMS)、逆變器及工業自動化等剛性需求市場,降低消費性電子景氣波動之影響。(三)優化全球供應鏈與營運效率1. 發揮生產基地分工效益:善用南通生產基地之製造優勢,強化通用型產品之成本競爭力與交期彈性;台灣總部則專注於高階、客製化及新技術產品之研發與生產,以「兩岸分工、優勢互補」提升整體毛利率。2. 組織專業化運作:持續深化研發、製造、品保與業務之職能分工,透過專業化管理提升決策速度與生產良率,建構具備快速反應能力的敏捷組織。(四) 風險管理與永續經營 (ESG)1. 地緣政治與供應鏈韌性:面對全球地緣政治不確定性,將透過多元化供應鏈佈局與庫存動態管理,降低斷鏈風險,並確保原料供應穩定。2. 推動綠色製造與企業承諾:致力於符合國際環保法規與客戶 ESG 要求,開發低能耗製程與環保材料,落實企業社會責任,確保公司在法規環境變遷中保持競爭力。
綜上所述,面對 115 年度充滿挑戰與機會的經營環境,本公司將堅持「技術領先、品質至上、客戶導向」之核心價值,穩健推動轉型升級。期盼所有股東能繼續提攜與支持,您的信任是本公司最大的發展動力。在此對所有客戶、供應商、股東與全體同仁,致上最誠摯的謝意。敬祝各位股東女士、先生身體健康、萬事如意